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如何清洗硅基底基片更專業(yè)
(1)清洗硅基底基片，選用射CNB1002005AU頻磁空濺射工藝方法在基片上堆積150nm的Si3N。，500nm的Si02薄膜作為熱隔離層，然后在Si3N。/Si0：上堆積Ti和Pt層；
(2)在上電極上選用3600rpm/min旋涂30s，構(gòu)成PT/PZT~ PZT/PT多層薄膜層，采取前所述的方法完成0. 55l.t,m的多層薄膜結(jié)構(gòu)；
(3)等離子腐蝕法光刻圖形化PT/PZT~ PZT/PT多層薄膜；
(4)選用蒸鍍工藝技術(shù)，制作150nm的Pt薄膜層和80nm的Ti薄膜層在薄膜層上；
(5)光刻制作焊接區(qū)；在純N：氣室內(nèi)、150Pa壓力情況下，蒸鍍150nm的金黑吸收層，在丙酮中剝離不需要的金屬區(qū)，構(gòu)成紅外靈敏檢測區(qū)域；
(6)光刻底基片廠家靈敏元件的背面，選用BOE深浸蝕5h制作底基片微橋結(jié)構(gòu)；
(7)把靈敏元件與外部輸出電路進行銜接，然后真空封裝入T0-5型金屬殼體內(nèi)。
制作的紅外薄膜型探測器主要由PT/PZT~PZT/PT薄膜靈敏元件、JFET場效應晶體管、窄帶濾光片、47kQ電阻以及輸出電路等組成，這些被真空封裝在T0-5型金屬殼體內(nèi)
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